Plyny pro polovodiče header

Plyny pro polovodiče

Contact us generico

Kontaktujte nás

Telefon: 235 097 520 

Fax:      235 097 525

siad@siad.cz

 

Plyny pro polovodiče

Plyny SIAD pro polovodičové procesy se používají v každé fázi výroby – od růstu monokrystalů křemíku po každý stupeň procesu výroby plátků: oxidace, nanášení chemických par, rozprašování, povlak, leptání, tepelná difúze a implantace iontů.

Plynové aplikace ve výrobě polovodičů
Spolehlivá dodávka plynů o vysoké čistotě je zásadní pro moderní výrobu polovodičů. SIAD pro výrobu polovodičů a integrovaných obvodů nabízí více než 30 různých plynů a směsí pro leptání, nanánášení, oxidaci, legování a inertní aplikace. Škála používaných plynů je širší než v kterémkoliv jiném průmyslovém odvětví. Je třeba měřit a odstranit stopové nečistoty v koncentracích p.p.m. (parts per million), v p.p.b. (parts per billion) a dokonce i v p.p.t. (parts per trillion) musí být indikovány a eliminovány.

Polovovodičové procesní plyny se třídí jako:

  • prekurzory křemíku
  • legující látky (dopanty)
  • leptací činidla (korozivní plyny)
  • vzdušné plyny
  • reakční plyny.

Dusík a kyslík mohou být vyráběny separačními jednotkami ze vzduchu on-site nebo dodávány jako kryogenní kapaliny, argon rovněž jako kryogenní kapalina a vodík je dodáván jako stlačený plyn.

Dusík se široce používá v řadě procesů k zajištění inertního prostředí nebo k vyplachování reaktivních plynů po ukončení procesu. 

Kyslík se používá k oxidaci křemíku, což je jedna z nejkritičtějších fází výroby polovodičů. 

Argon je používán k zabezpečení inertního prostředí při napařování kovů (kde je dokonce i dusík příliš reaktivní a vede k tvorbě kovových nitridů). 

Vodík, dodávaný ve velkém jako kryogenní kapalina nebo vyráběný na místě, je používán k tvorbě redukčního prostředí při žíhání kovových vláken nebo folií. 

Kompletní řada polovodičových procesních plynů SIAD garantuje dostatečně dlouhou použitelnost, spolehlivost a stabilitu vlastností bez ohledu na to, kde se výroba polovodičů a integrovaných obvodů nachází.

Navigation Menu

Silicon precursor gases
Silicon-precursor gases act as a source of silicon atoms for the deposition of polycrystalline silicon, epitaxial silicon, silicon dioxide, and silicon nitride
Korozivní plyny
Corrosive gases, such as hydrogen bromide, hydrogen chloride, and chlorine are used for etching.
Vzdušné plyny
Atmospheric/purge gases are used for purging certain processing systems and equipment when a semiconductor manufacturer is concerned about possible back-contamination of the house purge lines.
Reactant gases
Reactant gases include ammonia, nitrous oxide, hydrogen chloride and tungsten hexafluoride.
Legující plyny (dopanty)
Dopant gases are a source of controllable impurities used to modify the local electrical properties of the semiconductor material.
Chemicko-mechanická planarizace
Semiconductor chemical mechanical planarization (CMP), the process of polishing silicon wafers.
Leptací plyny
Many gases are used in the etching process. Etchants include fluorocarbons and other fluorinated materials.