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Dotierende Gase

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Dopant gases

Dotierende Gase sind eine Quelle kontrollierbarer Unreinheiten, die eingesetzt werden, um die lokalen elektrischen Eigenschaften des Halbleitermaterials zu verändern.
Genau genommen, können dotierende Substanzen entweder ein Elektronendefizit (p-Dotierer) oder eine Elektronenzunahme (n-Dotierer) in der lokalen Struktur des molekularen Kristallrahmens bewirken, was wiederum die Leitfähigkeit des Materials verändert. Dotierende Substanzen gibt es in flüssigem, festem oder gasförmigem Stadium. Übliche gasförmige n-Dotierer sind Arsen und Phosphan. Ein geläufiger, gasförmiger p-Dotierer ist Diboran. Dotierende Substanzen werden in der epitaxialen Abschneidung, Diffusion und Ionenimplantation eingesetzt.
Ein wachsender Sektor für die Verwendung von Arsen und Phosphan ist die Herstellung von den so genannten "III-V Devices"-Wafern, bei der eine dampfphasige Epitaxie (VPE) oder, noch öfter, das metallisch-organisch-chemische Dampfabscheidungs-Verfahren (MOCVD) genutzt wird.
SIAD liefert eine komplette Palette dotierender Gase.