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Reaktive Gase

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Reaktive Gase

Reaktive Gase sind, unter anderem, Ammonium, Stickoxidul, Wasserstoffchlorid und Tungstenhexafluorid.

Ammonium wird normalerweise entweder mit Silan oder mit Dichlorsilan verwendet, um Schichten von Siliciumnitrid während der chemischen Dampfabscheidung zu bilden. Schichten von Siliciumnitrid werden als Passivierungslayer oder als nichtleitende Zwischenlayer in Halbleitergeräten verwendet.

Stickoxidul wird als Sauerstoffquelle in Siliciumoxidschichten eingesetzt, die sich beim chemischen Dampfabscheidungs-Verfahren bilden. Stickoxidul, das es als verflüssigtes Gas gibt, ist bei Temperaturen über 300°C ein stark oxidierender Agent. Stickoxidul wird auch in lichtundurchlässigen Stripping-Prozessen verwendet.

Wasserstoffchlorid wird eingesetzt, um Wafer vor der Abscheidung zu polieren und der Verätzung zu unterziehen. Wasserstoffchlorid entfernt Oberflächendefekte der Wafer, die durch mechanische Polierung und Handhabung enstanden sind. Es werden außerdem mit kleinen Mengen Sauerstoff verwendet, um mit metallischen ("getter") Unreinheiten zu reagieren, die unter Umständen schädlich für den Metalloxid-Halbleiterprozess (MOS) sein können.

Tungstenhexafluorid ist eine farblose, nicht brennbare, korrodierende Flüssigkeit, die als CVD-Quelle für Tungsten dient, oder in Verbindung mit Silan.