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Halbleitergase

Die Halbleiter-Prozessgase von SIAD werden in allen Stadien von Herstellungsprozessen eingesetzt – vom einzelnen, wachsenden Siliconkristall bis zu jedem einzelnen Schritt in der Waferherstellung: Oxidation, Deposition chemischer Dämpfe, Verregnung, Beschichtung, Verätzung, thermische Diffusion und Ionenimplantation.

Gasanwendungen in der Herstellung von Halbleitern
Die garantierte Zufuhr von hochreinen Gasen ist ein kritischer Faktor in der Herstellung von Halbleitern. Die Produktion eines integrierten Kreislaufs benötigt über 30 verschiedene Prozessgase für Verätzungs-, Depositions-, Oxidations-, Dotierungs- und Inertisierung. Die Bandbreite der verwendeten Gase ist hier größer als in jedem anderen Industriezweig. Spuren von Unreinheiten in Millionstel-, Milliardenstel- und sogar Trillionstenteilchen müssen gemessen und beseitigt werden.

Halbleiter-Prozessgase werden klassifiziert als:

  • Silicium zuführende Gase
  • dotierend
  • Ätzgase
  • atmosphärisch
  • reagierend.

Sie schließen Stickstoff und Sauerstoff ein, die vorort durch die Trennung von Luft hergestellt oder als kryogene Flüssigkeit geliefert werden; Argon wird als kryogene Flüssigkeit und Wasserstoff als komprimiertes Gas geliefert.
Stickstoff wird viel in zahlreichen Prozessen eingesetzt, um eine reaktionsarme Umgebung zu schaffen oder um reaktive Gase nach der Beendigung eines Prozesses auszustoßen.
Sauerstoff wird für die Oxidation von Silicium verwendet, einer der kritischsten Prozesse überhaupt in der Halbleiterherstellung.
Argon wird eingesetzt, um eine reaktionsarme Umgebung für die Sputtering-Prozesse von Metall zu schaffen (wo selbst Stickstoff zu reaktiv wäre und zur Bildung von Metallnitriden führen würde).
Wasserstoff wird im Block als kryogene Flüssigkeit geliefert oder vorort hergestellt und wird verwendet, um eine reduzierende Umgebung für das Nachglühen von Metallbeschichtungen zu schaffen.
SIAD’s komplette Linie von Halbleiter-Prozessgasen garantiert Zuverlässigkeit und Beständigkeit, wo immer sich auch eine Waferherstellungsstätte befindet.

Navigationsmenü

Silicon precursor gases
Silicon-precursor gases act as a source of silicon atoms for the deposition of polycrystalline silicon, epitaxial silicon, silicon dioxide, and silicon nitride
Korrodierende Gase
Corrosive gases, such as hydrogen bromide, hydrogen chloride, and chlorine are used for etching.
Atmosphärische Gase
Atmospheric/purge gases are used for purging certain processing systems and equipment when a semiconductor manufacturer is concerned about possible back-contamination of the house purge lines.
Reactant gases
Reactant gases include ammonia, nitrous oxide, hydrogen chloride and tungsten hexafluoride.
Dotierende Gase
Dopant gases are a source of controllable impurities used to modify the local electrical properties of the semiconductor material.
Chemisch-mechanische Planargase
Semiconductor chemical mechanical planarization (CMP), the process of polishing silicon wafers.
Ätzgase
Many gases are used in the etching process. Etchants include fluorocarbons and other fluorinated materials.