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Halbleitergase

Die Halbleiter-Prozessgase von SIAD werden in allen Stadien von Herstellungsprozessen eingesetzt – vom einzelnen, wachsenden Siliconkristall bis zu jedem einzelnen Schritt in der Waferherstellung: Oxidation, Deposition chemischer Dämpfe, Verregnung, Beschichtung, Verätzung, thermische Diffusion und Ionenimplantation.

Gasanwendungen in der Herstellung von Halbleitern

Die garantierte Zufuhr von hochreinen Gasen ist ein kritischer Faktor in der Herstellung von Halbleitern. Die Produktion eines integrierten Kreislaufs benötigt über 30 verschiedene Prozessgase für Verätzungs-, Depositions-, Oxidations-, Dotierungs- und Inertisierung. Die Bandbreite der verwendeten Gase ist hier größer als in jedem anderen Industriezweig. Spuren von Unreinheiten in Millionstel-, Milliardenstel- und sogar Trillionstenteilchen müssen gemessen und beseitigt werden.

Halbleiter-Prozessgase werden klassifiziert als:

  • Silicium zuführende Gase
  • dotierend
  • Ätzgase
  • atmosphärisch
  • reagierend.

Sie schließen Stickstoff und Sauerstoff ein, die vorort durch die Trennung von Luft hergestellt oder als kryogene Flüssigkeit geliefert werden; Argon wird als kryogene Flüssigkeit und Wasserstoff als komprimiertes Gas geliefert.
Stickstoff wird viel in zahlreichen Prozessen eingesetzt, um eine reaktionsarme Umgebung zu schaffen oder um reaktive Gase nach der Beendigung eines Prozesses auszustoßen.
Sauerstoff wird für die Oxidation von Silicium verwendet, einer der kritischsten Prozesse überhaupt in der Halbleiterherstellung.
Argon wird eingesetzt, um eine reaktionsarme Umgebung für die Sputtering-Prozesse von Metall zu schaffen (wo selbst Stickstoff zu reaktiv wäre und zur Bildung von Metallnitriden führen würde).
Wasserstoff wird im Block als kryogene Flüssigkeit geliefert oder vorort hergestellt und wird verwendet, um eine reduzierende Umgebung für das Nachglühen von Metallbeschichtungen zu schaffen.
SIAD’s komplette Linie von Halbleiter-Prozessgasen garantiert Zuverlässigkeit und Beständigkeit, wo immer sich auch eine Waferherstellungsstätte befindet.