Contacteaza-ne generico

Contacteaza-ne

+40 210 310 36 58

 

siad@siad.ro

Dopant gases

Gazele dopante sunt o sursă controlabilă de impurităţi utilizată pentru modificarea locală a proprietăţilor electrice ale materialelor semiconductoare.
În mod specific, un dopant ajută fie la un deficit de electroni (p dopant) sau un electron (n dopant) în structura locală a reţelei cristaline moleculare, care alterează, în acest mod, conductivitatea materialului. Dopanţii sunt disponibili în stare de agregare solidă, lichidă sau gazoasă. Gaze obişnuite n dopanes sunt arsina şi fosfina. Un gaz p dopant obişnuit este diboranul. Gazele dopante sunt utilizate în depunerile epitaxiale, implanatarea şi difuzia ionilor.
O zonă majoră de creştere pentru utilizarea arsinei şi fosfinei o reprezintă fabricarea fagurilor denumiţi "III-V devices," prin utilizarea epitaxiei în fază de vapori (VPE) sau, mult mai frecvent, metoda depunerii de vapori metalici chimici organici (MOCVD).
SIAD poate să furnizeze o gamă completă de gaze dopante.