Gaze pentru semiconductori header

Gaze pentru semiconductori

Contacteaza-ne generico

Contacteaza-ne

+40 210 310 36 58

 

siad@siad.ro

Gaze pentru semiconductori

Gazele de proces pentru semiconductori ale SIAD sunt utilizate în diferite etape ale proceselor de producţie - de la creşterea cristalului unic de siliciu până la fiecare etapă a procesului fabricaţie al fagurelui: oxidare, depunere de vapori chimici, sputtering, rezistenţă, etc, difuzie termică şi implantare ionică.

Aplicaţiile gazelor în producţia de semiconductori 
Un furnizor de încredere pentru gaze de înaltă puritate este esenţial pentru un producător de semiconductori. Producerea unui circuit integrat necesită peste 30 de gaze de proces diferite pentru aplicaţii de decapare, depunere, oxidare, îmbogăţire şi neutralizare. Gama de gaze utilizată în acest domeniu este virtual mai largă decât în orice altă industrie. Trebuie realizată urmărirea, măsurarea şi eliminarea impurităţilor până la nivelul de o parte la un milion, o parte la un miliard, şi chiar o parte la un trillion.

Gazele pentru prelucrarea semiconductorilor sunt clasificate astfel:

  • precursori de siliciu
  • dopante
  • decapante
  • atmosferice
  • reactante.

Acestea includ azotul şi oxigenul, produse pe loc prin separarea aerului sau livrate ca lichide criogenice, argonul, livrat ca lichid criogenic, şi hidrogenul, livrat ca gaz comprimat.
Azotul este utilizat pe scară largă în multe procese pentru a oferi un mediu inert sau pentru a elimina gazele reactive după încheierea unui proces.
Oxigenul este utilizat pentru oxidarea siliconului, unul dintre cele mai critice procese în producerea semiconductorilor.
Argonul este utilizat pentru oferirea unui mediu inert pentru depunerile catodice de metale (atunci când chiar şi azotul este prea reactiv şi conduce la formarea azotaţilor metalici).
Hidrogenul, livrat vrac ca lichid criogenic sau produs pe loc, este utilizat pentru oferirea unui mediu reducător refacerea peliculelor metalice.
Linia completă SIAD de gaze pentru prelucrarea semiconductorilor asigură siguranţă şi consistenţă indiferent de locul în care este amplasată unitatea pen5tru producerea semiconductorilor.

Navigation Menu

Silicon precursor gases
Silicon-precursor gases act as a source of silicon atoms for the deposition of polycrystalline silicon, epitaxial silicon, silicon dioxide, and silicon nitride
Gaze corozive
Corrosive gases, such as hydrogen bromide, hydrogen chloride, and chlorine are used for etching.
Gaze atmosferice
Atmospheric/purge gases are used for purging certain processing systems and equipment when a semiconductor manufacturer is concerned about possible back-contamination of the house purge lines.
Reactant gases
Reactant gases include ammonia, nitrous oxide, hydrogen chloride and tungsten hexafluoride.
Gaze dopante
Dopant gases are a source of controllable impurities used to modify the local electrical properties of the semiconductor material.
Planarizarea mecano-chimica
Semiconductor chemical mechanical planarization (CMP), the process of polishing silicon wafers.
Gaze de gravare / imprimare
Many gases are used in the etching process. Etchants include fluorocarbons and other fluorinated materials.